Comparação de técnicas de extração de tensão de limiar para finFETs de germânio

Esse manuscrito apresenta uma análise comparativa de métodos de extração de um parâmetro elétrico importante de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs), o qual indica transição de estado, desligado para ligado, do dispositivo, conhecido como tensão de limiar. Para isso, três técnicas difundidas na literatura são utilizadas, a saber, corrente constante, extrapolação linear e segunda derivada, por meio de inspeção da curva transferência do transistor, ou seja, corrente dreno em função da tensão aplicada ao terminal de porta. O objeto de estudo deste trabalho é MOSFET de porta tripla do tipo enriquecimento de canal p (p-finFET) de canal de germânio. Neste contexto, dispositivos de diferentes comprimentos de canal e largura de aleta larga fixa são avaliados, a fim de verificar o efeito de canal curto na tensão de limiar, bem como da resistência série com a redução do comprimento de canal. Por fim, é mostrado que os métodos da extrapolação linear e da segunda derivada são mais confiáveis, devido à proximidade entre seus resultados.